钼圆-洛阳弘固金属科技有限公司

钼圆

化学要求

元素	Ni	Mg	Fe	Pb	Al	Bi	Si	Cd	Ca	P
浓度（%）	0.003	0.002	0.005	0.0001	0.002	0.0001	0.002	0.0001	0.002	0.001
元素	C	O	N	Sb	Sn	Mo
浓度（%）	0.01	0.003	0.003	0.0005	0.0001	平衡

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参数

材料：纯钼99.95%Min
密度：≥10.2g/cc
熔点：2610ºC

导电性极佳、耐高温性、高熔点、高抗氧化性和耐腐蚀性。

原子序数	42
CAS编号	7439-98-7
原子质量	95.94[g/mol]
熔点	2620摄氏度
沸点	4639摄氏度
20°C时的密度	10.22[g/cm³]
晶体结构	体心立方
20°C下的线性热膨胀系数	5.2 × 10^-6[m/（mK）]
20°C时的热导率	142[W/（mK）]
20°C时的比热	0.25[J/（gK）]
20°C时的电导率	17.9 × 10⁶[S/m]
20°C时的比电阻	0.056[（Ωmm²)/m]

质量与检验

应用

钼溅射靶材可以在各种衬底上形成薄膜。这种溅射薄膜广泛应用于电子元件和电子产品，如目前广泛使用的TFT-LCD（薄膜晶体管-液晶显示器，薄膜晶体管-LCD）。显示器）、等离子显示器、无机发光二极管显示器、场发射显示器、薄膜太阳能电池、传感器、半导体器件和具有可调谐工作功能CMOS（互补金属氧化物半导体）的场效应晶体管门等。

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